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节能型电力电子器件VDMOS产业化重大技术发明

2010年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

在产品技术上采用高压集成电路的终端结构，通过研究线宽小于1微米的集成电路工艺，达到单胞尺寸的微细化和最佳化。采用沟槽结构，通过降低VDMOS导通电阻，更大地改善饱和电压，达到降低功耗的目的。目前，已获得项目产品布图设计专利三项。该项目的建成将表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代由此可见该产品具有巨大的应用前景。...

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